我们都知道，MOSFET按工作模式可以分为PMOS（P沟道金属氧化物半导体）和NMOS（N沟道金属氧化物半导体）晶体管，这些晶体管由四个部分组成：源极 (S) 、漏极 (D) 、栅极 (G)和衬底（体），PMOS和NMOS 晶体管用作压控开关或放大，根据栅极电压控制源极和漏极之间的电流流动。主要区别在于负责电流流动的电荷载流子的类型：PMOS中的空穴（正电荷）和NMOS中的电子（负电荷） 。

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标签：[NMOS, 负载电流]

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